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J-GLOBAL ID：200903056226008196

有機薄膜トランジスタ及びそれを備える平板表示装置

Inventor： 具 存 本 ,  徐 ▲ちゅる▼ 徹
Applicant, Patent owner： 三星エスディアイ株式会社
Agent (3)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005163319
Publication number (International publication number)：2005354053
Application date： Jun. 02, 2005
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】有機TFTの電極と有機半導体層との接触抵抗を低減させる有機TFTを提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース電極110及びドレイン電極310と、ゲート電極と絶縁され、ソース電極110及びドレイン電極310にそれぞれ接する有機半導体層200とを備え、ソース電極110の端部のうち有機半導体層200と接しつつドレイン電極310に対向する部分の長さLS1が、ドレイン電極310の端部のうち有機半導体層200と接しつつソース電極110に向かう部分の長さLD1より長いことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に配置されたゲート電極と、 前記基板上に配置され、前記ゲート電極と絶縁されたソース電極及びドレイン電極と、 前記基板上に配置され、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース電極及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、を備え、 前記ソース電極の端部のうち、前記基板と平行しており、かつ前記有機半導体層に接しつつ前記ドレイン電極に対向する部分の長さの和が、前記ドレイン電極の端部のうち、前記基板と平行しており、かつ前記有機半導体層に接しつつ前記ソース電極に対向する部分の長さの和より大きいことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L51/00

FI (8)：

H01L29/78 616T ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/44 P ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28

F-Term (52)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG23 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-208212   Applicant：パイオニア株式会社