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J-GLOBAL ID：200903056228291103

面発光半導体レーザ

Inventor： 駒崎 岩男
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995240016
Publication number (International publication number)：1997083066
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】出力を上げると、基本モードから高次モードへ変換されて安定な光出力が得られない。【解決手段】半導体基板(1) 上に上部分布反射ミラー層(6) と下部分布反射ミラー層(2) 間に発光領域を挟んだ層を形成して共振器を構成する面発光半導体レーザにおいて、前記発光領域の前記半導体基板主面に対して平行な断面形状が長軸および短軸を有するとともに、前記発光領域の側面に設けられた、電流ブロックと光の閉じ込めを行う反射層(7) と、前記上部分布反射ミラー層(6) 上に設けられたp型電極(8) と、前記下部分布反射ミラー層(2) 上でかつ前記反射層(7) の外側に前記共振器は挟むように互いに対向して設けられたn型電極(11a,11b)とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に上部分布反射ミラー層と下部分布反射ミラー層間に発光領域を挟んだ層を形成して共振器を構成する面発光半導体レーザにおいて、前記発光領域の前記半導体基板主面に対して平行な断面形状が長軸および短軸を有するとともに、前記発光領域の側面に設けられた、電流ブロックと光の閉じ込めを行う反射層と、前記上部分布反射ミラー層上に設けられた上部電極と、前記下部分布反射ミラー層上でかつ前記反射層の外側に前記共振器は挟むように互いに対向して設けられた下部電極とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。