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J-GLOBAL ID：200903056229875842

不良解析方法および装置

Inventor： 池田 洋子 ,  小野 眞 ,  坂田 正雄 ,  横内 哲司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997014387
Publication number (International publication number)：1998214866
Application date： Jan. 28, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 不良解析において、多数の不良の位置分布から不良解析対象とする重要な観察位置を自動的に特定する。【解決手段】 半導体ウェハWの検査結果データからこの半導体ウェハWに関する不良位置データを採取し、この不良位置データである不良の位置分布から不良が集中して存在する領域をクラスタとして捉え、クラスタの半導体ウェハW全面に対する面積占有率とクラスタ形状から観察位置を決定する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの検査結果データからこの半導体ウェハに関する不良位置データを採取し、前記不良位置データである不良の位置分布から不良が集中して存在する領域をクラスタとして捉え、前記クラスタの前記半導体ウェハ全面に対する面積占有率とクラスタ形状から観察位置を決定することを特徴とする不良解析方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/88

FI (3)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 21/88 E