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J-GLOBAL ID：200903056238670609

プロトン伝導体及びその製造方法、プロトン伝導性高分子及びその製造方法、プロトン伝導性高分子組成物、並びに電気化学装置

Inventor： 福島 和明 ,  ベトルド・ヌーベル ,  コンスタンス・ロスト ,  植竹 猶基 ,  ビヨルン・ピーツアック ,  常長 俊彦 ,  瀧澤 修一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002175284
Publication number (International publication number)：2003303513
Application date： Jun. 17, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高度のプロトン伝導性を有し、電気化学装置で求められる条件のもとで、熱的ばかりでなく化学的にも安定なフラーレン系プロトン伝導体、プロトン伝導性高分子及びプロトン伝導性高分子組成物を提供すること。【解決手段】 フラーレン分子と;前記フラーレン分子に付加し、少なくとも一部分がフッ素化されてなるスペーサー分子と;前記スペーサー分子に付加したプロトン(H+)伝導性官能基と;からなる、プロトン伝導体。複数のプロトン伝導体と、複数の前記プロトン伝導体の間を連結した少なくとも1個の連結分子とからなり、前記プロトン伝導体が、フラーレン分子と、前記フラーレン分子に付加し、少なくとも一部分がフッ素化されてなるスペーサー分子と、前記スペーサー分子に付加したプロトン伝導性官能基とからなる、プロトン伝導性高分子。

Claim (excerpt)：

フラーレン分子と;前記フラーレン分子に付加し、少なくとも一部分がフッ素化されてなるスペーサー分子と;前記スペーサー分子に付加したプロトン(H+)伝導性官能基と;からなる、プロトン伝導体。

IPC (11)：

H01B 1/06 ,  C07C303/08 ,  C07C303/36 ,  C07C309/11 ,  C07C309/82 ,  C07C311/04 ,  C07C311/09 ,  H01B 13/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  C07F 7/10

FI (11)：

H01B 1/06 A ,  C07C303/08 ,  C07C303/36 ,  C07C309/11 ,  C07C309/82 ,  C07C311/04 ,  C07C311/09 ,  H01B 13/00 Z ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10 ,  C07F 7/10 P

F-Term (24)：

4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H049VN01 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ35 ,  4H049VQ55 ,  4H049VR23 ,  4H049VR51 ,  4H049VU24 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB08 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026EE19 ,  5H026HH05 ,  5H026HH08 ,  5H026HH10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 燃料電池用高分子電解質
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-333778   Applicant：日本電信電話株式会社