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J-GLOBAL ID：200903056266819081

光半導体装置

Inventor： 近藤 浩史 ,  石塚 公 ,  西村 哲治
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345058
Publication number (International publication number)：1993175545
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 小型化・高密度化を追求した光半導体装置の提供。【構成】 光学窓部2を有する筐体の内部に発光素子1と受光素子4が内蔵された光半導体装置において、前記発光素子と窓部との間に、前記受光素子がマウントされる基材6を配し、該基材は前記発光素子からの光が射出する部分に光透過部が設けられていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

光学窓部を有する筐体の内部に発光素子と受光素子が内蔵された光半導体装置において、前記発光素子と窓部との間に、前記受光素子がマウントされる基材を配し、該基材は前記発光素子からの光が射出する部分に光透過部が設けられていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/14 ,  H01L 31/12