Pat
J-GLOBAL ID：200903056282150094
電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315931
Publication number (International publication number)：1993211177
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】化合物半導体ヘテロ接合を用いたFETのゲートリーク電流を低減し、ゲート耐圧を高くして、高出力FETに適用できるようにする。【構成】ゲート電極9とN型AlGaAs電子供給層4との間に基板温度500°C以下の低温で成長したアンドープAlGaAs層5を挟む。【効果】ゲートリーク電流を抑え、ゲート耐圧を飛躍的に向上させることができた。その結果、高出力FETへの適用が可能になった。
Claim (excerpt)：
N型AlGaAsキャリア供給層とゲート電極との間に低温成長したアンドープAlGaAs層が形成された電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
