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J-GLOBAL ID：200903056309852606

光利用めっき方法およびめっき膜形成体

Inventor： 森下 真也
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993051541
Publication number (International publication number)：1994136547
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板に形成した色素層の光照射部に、密着性に優れた銅、ニッケル、コバルトおよび錫の少なくとも1種を含むめっき膜を形成することが可能な光利用めっき方法およびめっき膜形成体を提供する。【構成】 基板表面に色素分子からなる色素層を形成する工程と、不可逆的に酸化分解して電子を供給する犠牲酸化剤を含む銅、ニッケル、コバルトおよび錫イオンの少なくとも1種を含む無電解めっき液中に、前記色素層を形成した基板を浸漬する工程と、前記色素層に該色素の励起エネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射する工程とからなり、色素層の光を照射した部分に銅、ニッケル、コバルトおよび錫の少なくとも1種を含むめっき膜を形成することを特徴とする光利用めっき方法およびめっき膜形成体。

Claim (excerpt)：

基板表面に色素分子からなる色素層を形成する工程と、不可逆的に酸化分解して電子を供給する犠牲酸化剤と、銅、ニッケル、コバルトおよび錫イオンの少なくとも1種とを含む無電解めっき液中に、前記色素層を形成した基板を浸漬する工程と、前記色素層に色素の励起エネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射する工程とからなり、色素層の光を照射した部分に、銅、ニッケル、コバルトおよび錫の少なくとも1種を含むめっき膜を形成することを特徴とする光利用めっき方法。