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J-GLOBAL ID:200903056338790199
結晶性酸化チタン膜の形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998119197
Publication number (International publication number):1999310898
Application date: Apr. 28, 1998
Publication date: Nov. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 光触媒機能膜や色素増感型太陽電池の半導体膜として好適な、1μm以上の膜厚を有する微結晶で構成された結晶性の良い結晶性酸化チタン膜を得る。【解決手段】 導電性基体をチタンアルコキシドが部分的に加水分解されてなるチタンアルコキシド重縮合体の溶液中に浸漬して一方の電極とし、この溶液中に浸漬した他方の電極との間に5〜50ボルトの電圧を印加し、電気泳動によって上記導電性基体上にチタンアルコキシド重縮合体を堆積させて酸化チタン前駆体膜を形成し、その後400°C以上の温度で焼成することにより、膜厚が1μm以上の結晶性酸化チタン膜を形成する。上記焼成の前段階で相対湿度60%以上の環境に保持するのが好ましい。
Claim (excerpt):
導電性基体をチタンアルコキシドが部分的に加水分解されてなるチタンアルコキシド重縮合体の溶液中に浸漬して一方の電極とし、この溶液中に浸漬した他方の電極との間に5〜50ボルトの電圧を印加し、電気泳動によって上記導電性基体上にチタンアルコキシド重縮合体を堆積させ酸化チタン前駆体膜を形成し、その後400°C以上の温度で焼成することにより、膜厚が1μm以上の結晶性酸化チタン膜を形成することを特徴とする結晶性酸化チタン膜の形成方法。
IPC (3):
C25D 13/06
, C25D 9/02
, C25D 13/00 307
FI (3):
C25D 13/06 Z
, C25D 9/02
, C25D 13/00 307 F
Patent cited by the Patent: