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J-GLOBAL ID：200903056347064026

シリカメソ構造体薄膜及びメソポーラスシリカ薄膜及びシリカメソ構造体薄膜の作成方法及びメソポーラスシリカ薄膜の作成方法

Inventor： 黒田 一幸 ,  宮田 浩克
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999035610
Publication number (International publication number)：2000233995
Application date： Feb. 15, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、配向性を有するメソポーラス薄膜を、基板の広い範囲にわたってクラックを生じないように、導電性を有する実用的な基板上に形成することにある。【解決手段】 そこで、本発明では、表面における原子配列が2回対称性を有するような方位の単結晶基板上にメソポーラス薄膜が配置されている構成をとる。

Claim (excerpt)：

表面における原子配列が2回対称性を有するような方位の単結晶基板上にメソ構造体薄膜が配置されていることを特徴とするシリカメソ構造体薄膜。

IPC (5)：

C30B 29/18 ,  B01J 19/00 ,  B01J 20/06 ,  B01J 21/08 ,  B01J 23/18

FI (5)：

C30B 29/18 ,  B01J 19/00 M ,  B01J 20/06 B ,  B01J 21/08 Z ,  B01J 23/18 Z

F-Term (46)：

4G066AA22B ,  4G066AA32D ,  4G066AB18A ,  4G066BA03 ,  4G066BA31 ,  4G066FA11 ,  4G066FA21 ,  4G066FA40 ,  4G069AA01 ,  4G069AA08 ,  4G069AA12 ,  4G069BA02A ,  4G069BA02B ,  4G069BA17 ,  4G069BA18 ,  4G069BA21C ,  4G069BD05C ,  4G069BE06C ,  4G069BE17C ,  4G069EA08 ,  4G069EC09X ,  4G069EC14Y ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB08 ,  4G069FB17 ,  4G069FB18 ,  4G069FB36 ,  4G069FC02 ,  4G069FC03 ,  4G075AA25 ,  4G075BA10 ,  4G075BD16 ,  4G075CA02 ,  4G075CA51 ,  4G075CA57 ,  4G075EA06 ,  4G075FC02 ,  4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE46 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12