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J-GLOBAL ID：200903056360027890

窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法

Inventor： 小出 典克
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993125029
Publication number (International publication number)：1994314659
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体膜を制御性良く成長させること。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体膜であるAlGaN混晶膜3のMOVPE法による結晶成長においては、 III族原料ガスとして、有機金属である従来のトリメチルアルミニウム〔Al(CH3)3 :TiBA〕に替えてトリイソブチルアルミニウム〔Al(i-C4H9)3〕及びトリメチルガリウム〔Ga(CH3)3 〕、V族原料ガスとしてNH3 が用いられる。上記TiBAは分子構造上、従来のTMAに比べて、アルキル基〔(CnH2n+1)-R〕が大きいためAl 原子を包み込み、V族原料ガスであるNH3 との反応による錯体を形成し難い。このため、TiBAは、NH3 との反応が進行する前に基板上に到達できる。これにより、基板上に結晶成長されるAlXGa1-XN混晶膜にはAl が混入し易くなり、混晶組成比及び結晶成長速度の制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

有機金属化合物気相成長法による窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)膜の結晶成長方法であって、気相成長工程において、 III族原料ガスとして有機金属であるトリイソブチルアルミニウム〔Al(i-C4H9)3 〕及びトリメチルガリウム〔Ga(CH3)3 〕、V族原料ガスとしてアンモニア(NH3)を用いることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-133721
  
• 特開平4-139096
  
• 特開平4-297023