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J-GLOBAL ID：200903056371388118

ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 佐々木 正義 ,  木村 忠之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016847
Publication number (International publication number)：1993218084
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】ポリシリコン薄膜にソース/ドレイン領域を形成する際に工程が複雑で時間のかかるホトレジスト工程及びイオン注入工程を経ないpoly-Si薄膜トランジスタ(TFT)の製造方法を提供する。【構成】絶縁基板11上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13を順次形成する工程、前記ゲート絶縁膜13上にポリシリコン膜14を形成した後、該ポリシリコン膜のソース領域形成部とドレイン領域形成部上に、所定の不純物を含有した二酸化シリコン膜15を形成する工程、前記二酸化シリコン膜15をマスクとして前記ポリシリコン膜のチャネル領域14cに酸素プラズマを照射する工程、熱処理することによって前記二酸化シリコン膜の不純物を拡散させて前記ポリシリコン膜にソース領域14a及びドレイン領域14bを形成する工程、を含む。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜を順次形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成した後、該ポリシリコン膜のソース領域形成部とドレイン領域形成部上に、所定の不純物を含有した二酸化シリコン膜を形成する工程、前記二酸化シリコン膜をマスクとして前記ポリシリコン膜のチャネル領域に酸素プラズマを照射する工程、熱処理することによって前記二酸化シリコン膜の不純物を拡散させて前記ポリシリコン膜にソース領域及びドレイン領域を形成する工程、を含むことを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 H