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J-GLOBAL ID：200903056383680736
電子銃の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203691
Publication number (International publication number)：1994052790
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 均一な形状の電子銃を特殊な手法を用いることなく容易に形成することができる電子銃の製造方法を提供すること。【構成】 シリコン基板上に形成された第1のマスク材料内のエッチング窓を通してシリコン基板をエッチングし、エッチング側面を露出させる工程と、前記エッチング側面に第2のマスク材料を形成する工程と、前記第1のマスク材料をパターニングする工程と、前記第1のマスク材料が除去された部分を通してシリコン基板をエッチングする工程と、前記第1のマスク材料および第2のマスク材料を除去する工程と、該シリコン基板上に酸化シリコン膜を成膜する工程と、該酸化シリコン膜上に導電性膜を成膜する工程と、該導電性膜および該酸化シリコン膜の一部を除去してゲート電極を形成する工程とを具備することを特徴とする電子銃の製造方法。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に形成された第1のマスク材料内のエッチング窓を通してシリコン基板をエッチングし、エッチング側面を露出させる工程と、前記エッチング側面に第2のマスク材料を形成する工程と、前記第1のマスク材料をパターニングする工程と、前記第1のマスク材料が除去された部分を通してシリコン基板をエッチングする工程と、前記第1のマスク材料および第2のマスク材料を除去する工程と、該シリコン基板上に酸化シリコン膜を成膜する工程と、該酸化シリコン膜上に導電性膜を成膜する工程と、該導電性膜および該酸化シリコン膜の一部を除去してゲート電極を形成する工程とを具備することを特徴とする電子銃の製造方法。
IPC (2)：
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