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J-GLOBAL ID：200903056389431606
光学的近接効果補正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998339447
Publication number (International publication number)：2000162758
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体集積回路を形成する場合のOPCの対象とすべきマスクパターンを短時間の内に効率良く抽出できるようにし、かつ、抽出されたマスクパターンを精度良くOPC処理できる光学的近接効果補正方法を提供する。【解決手段】 各々のマスクパターンの形状、および各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップ100と、このマスクパターン分類ステップ100で分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正(以下、OPC)を実施するOPC実施ステップ101,102とから構成されている。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路のマスクパターンに対する光学的近接効果補正方法において、各々のマスクパターンの形状、および前記各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップと、このマスクパターン分類ステップで分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正(以下、OPC)を実施するOPC実施ステップと、から構成されていることを特徴とする光学的近接効果補正方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
