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J-GLOBAL ID：200903056395082400

マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク

Inventor： 東内 圭一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001135704
Publication number (International publication number)：2002333701
Application date： May. 07, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】下地層の高さの差による露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により生ずる寸法誤差を補正するマスクデータ補正方法を提供すること。【解決手段】マスクデータ補正方法において、入力されたマスクデータに係るパターンの領域を一定幅の分割セルで分割する工程と、近接効果補正を行うマスクデータ層ないし補正層の直下になる下地層パターンの各分割セル内における下地層パターンのパターン密度と、下地層の膜厚と、から各分割セルにおける下地層平均高さを計算する工程と、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さHを計算する工程と、この平均高さHと補正対象パターンのレイアウト・パラメータから補正量Cを決定し、分割セル内の対象パターンを補正する工程と、を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

入力されたマスクデータに係るパターンの領域を一定幅の分割セルで分割する工程と、近接効果補正を行うマスクデータ層ないし補正層の直下になる下地層パターンの各分割セル内における下地層パターンのパターン密度と、下地層の膜厚と、から各分割セルにおける下地層平均高さを計算する工程と、各分割セルとその近くにある他の各分割セルの下地層平均高さ及び距離から各分割セルの平均高さを計算する工程と、この分割セルの平均高さと補正対象パターンのレイアウト・パラメータから補正量を決定し、分割セル内の対象パターンを補正する工程と、を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/82

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/82 C

F-Term (7)：

2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  5F064EE14 ,  5F064EE15 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10