Pat
J-GLOBAL ID：200903056404206622
強誘電体薄膜作製方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078588
Publication number (International publication number)：1994049638
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 結晶化温度に加熱した基板上でも、高速に、緻密なPb1(ZryTi1-y)1O3の強誘電体薄膜を作製する。【構成】 PbxZr0.5Ti0.5Ozの式においてx=3,5,10の3種類のターゲットを用い、スパッタリングガスがAr+20%O2、高周波電力が150Wの条件で、平板マグネトロンスパッタリング法により基板上にPb1Zr0.5Ti0.5O3の強誘電体薄膜を作製した。基板温度650°Cでガス圧力を変えると、x=3のとき1〜100mTorr、x=5のとき1〜50mTorr、x=10のとき1mTorrで、また、ガス圧力10mTorrで基板温度を変えると600〜700°Cで、所定の組成比の膜が得られた。このように、作製膜に比べてPbの組成比が高いターゲットを用いて、特定の範囲のスパッタリング圧力と基板温度で成膜することにより、電気的に良好な膜を得ることができた。
Claim (excerpt)：
一般式【数1】Pb<SB>1</SB>(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1</SB>O<SB>3</SB> (0≦y<1)で表わされる強誘電体の薄膜をスパッタリング法によって前記強誘電体の結晶化温度以上に加熱した基板上に作製する方法において、組成が【数2】Pb<SB>x</SB>(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1</SB>O<SB>z</SB>(2≦x≦10,0≦y<1,zは任意)のタ-ゲットを用いることを特徴とする強誘電体薄膜作製方法。
IPC (4)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, C30B 29/22
, H01B 3/00
