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J-GLOBAL ID：200903056404980220

N-チャネル半導体材料を含むデバイス

Inventor： ハワード イーダン カッツ ,  ウェンジー リー ,  アンドリュー ジェー.ロヴィンガー
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000090013
Publication number (International publication number)：2000307173
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 改善された、N-チャネル半導体材料を含むデバイスを提供する。【解決手段】 本発明によれば、改善されたn-チャネル半導電性薄膜を含むデバイスが実現される。薄膜は縮合環テトラカルボン酸ジイミド化合物から形成され、薄膜の形態で0.001cm2/Vs、有利な場合は0.03cm2/Vs以上の電界効果電子移動度を示す。考えられる化合物には、ナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミド、ナフタレン2,3,6,7-テトラカルボン酸ジイミド、アントラセン2,3,6,7-テトラカルボン酸ジイミド及びそれらの複素環置換体(誘導体)が含まれる。n-チャネル化合物は一般的な有機溶媒中に著しく可溶であり、能動半導体薄膜の溶液堆積ができる。また、必要な場合には、気相堆積が比較的容易であるように、著しく揮発性のプロセスが可能である。また、化合物は空気中で動作させた場合ですら、望ましい高いn-チャネル移動度とオン/オフ比を示すことが可能である。

Claim (excerpt)：

薄膜が縮合環テトラカルボン酸ジイミドの化合物を含み、薄膜は0.001cm2/Vsより大きな電界効果電子移動度を示すn-チャネル半導電性薄膜を含むデバイス。

IPC (2)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B