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J-GLOBAL ID：200903056407590164

半導体ウェハ保持装置

Inventor： 三嶋 和彦 ,  岡田 哲
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Agent (1)： 高木 義輝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071429
Publication number (International publication number)：1993275513
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 汚染が少なく加工が容易なセラミックの半導体ウェハ保持装置を提供し、また、静電気による帯電を防止できる半導体ウェハ保持装置の提供を目的とする。【構成】 セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、半導体ウェハの保持面を体積固有抵抗が105 Ω・cm以下の硬質薄膜で被覆した半導体ウェハ保持装置である。体積固有抵抗が105 Ω・cm以下の抵抗を有するセラミックを素材とした半導体ウェハ保持装置である。

Claim (excerpt)：

セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、半導体ウェハの保持面を体積固有抵抗が105Ω・cm以下の硬質薄膜で被覆したことを特徴とする半導体ウェハ保持装置。

IPC (5)：

H01L 21/68 ,  B25J 15/06 ,  B65G 49/07 ,  B65H 5/14 ,  B25B 11/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-061954
  
• 特開昭59-147452
  
• 特開平3-060014