Pat

J-GLOBAL ID：200903056413219311

圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品

Inventor： 榊 千春 ,  土生田 恵美 ,  堀川 勝弘
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 國弘 安俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005347561
Publication number (International publication number)：2006188414
Application date： Dec. 01, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】圧電特性と抗電界の双方を向上させることが可能な圧電磁器組成物及びこれを用いて製造された圧電セラミック電子部品を得る。 【解決手段】セラミック素体4を形成する圧電磁器組成物が、一般式{xBiMeO3-yPbZrO3-(1-x-y)PbTiO3}(ただし、MeはSc又はIn)で表される複合ペロブスカイト型化合物を主成分とし、x、yが0.00<x<0.30、0<y<1.00、0.30<(x+y)<1.00の範囲にあり、かつ、主成分100モルに対しNb、Ta、Sb及びWの中から選択された少なくとも1種の元素を0.001〜3.0モルで含有している。また、上記一般式にzPb(M11/3M22/3)O3(M1はNi、Mg、Zn、M2はNb、Ta、Sb)を固溶させて主成分としてもよい。さらに、Ag又はCuを0.001〜3.0重量%含有するのも好ましい。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一般式{xBiMeO3-yPbZrO3-(1-x-y)PbTiO3}(ただし、MeはSc及びInのうちの少なくともいずれか1種の元素を示す)で表される複合ペロブスカイト型化合物を主成分とし、 前記x、yが0.00<x<0.30、0<y<1.00、0.30<(x+y)<1.00の範囲にあり、 かつ、前記主成分100モルに対し、Nb、Ta、Sb、及びWの中から選択された少なくとも1種の元素が0.001〜3.0モル含有されていることを特徴とする圧電磁器組成物。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/083

FI (5)：

C04B35/46 M ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/08 Q

F-Term (22)：

4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA18 ,  4G031AA23 ,  4G031AA24 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA27 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA04 ,  4G031GA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許出願公開US2003/0031622A1公報