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J-GLOBAL ID：200903056416573426
CVD装置の反応室のコーティング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162583
Publication number (International publication number)：1996031750
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 CVD装置の反応室のクリーニング後のエッチング性ガスによる汚染を十分に取除くコーティング方法を得ることを目的とする。【構成】 プラズマCVD装置の反応室内でプラズマ放電により基体に薄膜を成膜する際に反応室内に付着した薄膜をエッチング性ガスのプラズマ放電によりクリーニングしたのち、プラズマ放電により反応室内を絶縁膜または半導体膜でコーティングするCVD装置の反応室のコーティング方法において、基体1 に薄膜を成膜する際のプラズマ放電の電極35,36 間隔に対して反応室内を絶縁膜または半導体膜でコーティングする際のプラズマ放電の電極間隔を広くした。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD装置の反応室内でプラズマ放電により基体に薄膜を成膜する際に上記反応室内に付着した薄膜をエッチング性ガスのプラズマ放電によりクリーニングしたのち、プラズマ放電により上記反応室内を絶縁膜または半導体膜でコーティングするCVD装置の反応室のコーティング方法において、上記基体に薄膜を成膜する際のプラズマ放電の電極間隔に対して上記反応室内を絶縁膜または半導体膜でコーティングする際のプラズマ放電の電極間隔を広くしたことを特徴とするCVD装置の反応室のコーティング方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, G02F 1/136 500
