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J-GLOBAL ID：200903056425340655

張り合わせSOIウェーハの製法

Inventor： 酒井 慎介
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992209117
Publication number (International publication number)：1994061461
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 張り合わせSOIウェーハを製造するに際して、研削時に発生する酸化膜破片によるパーティクルによるシリコン膜層の汚染擦傷がなく、面取り部位の仕上げ精度が高く、作業効率が高く、かつウェーハの層間の酸化膜20を損傷しない製法を得る。【構成】 酸化膜20を介在させて張り合わせた張り合わせウェーハ10の一方のシリコンウェーハ11の外周部を、酸化膜20とは反対側の面から厚み方向に、酸化膜20との間に残厚zを残す部位まで研削し、この研削された張り合わせウェーハを酸化膜非溶解性のエッチング液に浸漬して酸化膜が露出するまでエッチングし、次いで酸化膜溶解性のエッチング液に浸漬して、露出した酸化膜を除去する。

Claim (excerpt)：

2枚のシリコンウェーハを酸化膜を介在させて張り合わせ、一方のシリコンウェーハを活性層を残して除去した張り合わせSOIウェーハを製造するに際して、前記張り合わせSOIウェーハの活性層となる側のウェーハの外周部を、酸化膜とは反対側の面から厚み方向に、酸化膜との間に残厚を残す部位まで研削し、この研削された張り合わせウェーハを酸化膜非溶解性のエッチング液に浸漬して酸化膜が露出するまでエッチングした後、酸化膜溶解性のエッチング液に浸漬して露出した酸化膜を除去することを特徴とする張り合わせSOIウェーハの製法。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/76