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J-GLOBAL ID：200903056430327896
半導体素子基体及びその作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046306
Publication number (International publication number)：1993275663
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高価なSOSやSIMOXの代替足り得るSOI基板と、該基板を、極めて、現実的かつ、高生産性、高均一性、高制御性に作製しえる方法を提供すること。【構成】 一方のSi基板11に形成された多孔質Si12の孔の内壁を酸化し、その上に単結晶Si13を形成し、該単結晶Si層13の表面と他方のSi支持基板14(又は光透過性基板44)とを絶縁層15を介して貼り合わせ、まず、Si基板11を多孔質Si12をエッチストップ層として選択的にエッチングし、次に、多孔質Si13を単結晶Si層13をエッチストップ層として選択的に化学エッチング(弗酸(+過酸化水素水)(+アルコ-ル)、あるいはバッファード弗酸(+過 酸 化水素水)(+アルコ-ル))により除去し、絶縁層15上に単結晶構造を有する薄膜 Si層13を均一に形成する。本発明は実験で実証されている。
Claim (excerpt)：
Si材料から成る第1の基板体の少なくとも一面側の表面層を多孔質化する工程、該多孔質化したSi層の孔の内壁を酸化する工程、該多孔質化したSi層上に単結晶Si層を形成する工程、該単結晶Si層と第2の基板体の一面とを絶縁層を介して貼り合わせる工程、該貼り合わされた第2の基板体をエッチング耐性マスクで覆い、前記多孔質化したSi層を除く第1の基板体を選択的にエッチングして除去する第1エッチング工程、該除去により露出する前記多孔質化したSi層を弗酸、又は弗酸にアルコールと過酸化水素水の少なくともいずれか一方を添加した第1混合液により、又はバッファード弗酸若しくはバッファード弗酸にアルコールと過酸化水素水の少なくともいずれか一方を添加した第2混合液により浸潤させることで前記多孔質化したSi層のみを選択的に除去する第2エッチング工程、を有することを特徴とする半導体素子基体の作製方法。
IPC (5)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/76
, H01L 21/336
, H01L 29/784
