Pat

J-GLOBAL ID：200903056430825128

プラズマ表面処理方法及びその装置

Inventor： 末澤 宏樹
Applicant, Patent owner： 住友重機械工業株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211295
Publication number (International publication number)：1993033120
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理を用いて被処理物に短時間で高品質の表面層を形成する。【構成】 被処理物14の電位に対してプラズマ電位を100V乃至10kVの範囲に高く設定するとともに動作ガス圧力を5×10-2乃至2×10-1Paの範囲に保持する。これによって、プラズマ界面が所定の距離(イオンシース距離)だけ被処理物から離れ、さらに、イオンの平均自由行程がデバイ長より長くなる。この結果、被処理物に対するイオン衝撃エネルギーを高くすることができる。従って、実質的に被処理物をスパッタリングしつつ被処理物をプラズマ処理して、短時間で高品質の表面層を被処理物に形成することができる。

Claim (excerpt)：

真空容器内に被処理物を配置するとともに該真空容器内に動作ガスを導入して、該真空容器内でプラズマを発生させて前記被処理物をプラズマ処理するプラズマ表面処理方法において、前記動作ガス圧力を5×10-2乃至2×10-1Paの範囲に保持するとともに前記被処理物の電位に対して前記プラズマ電位を100V乃至10kVの範囲に高く設定するようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法。

IPC (4)：

C23C 8/36 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/58