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J-GLOBAL ID：200903056431212464

層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法

Inventor： 由森 博之 ,  渡辺 均 ,  パズ デ アローホ,カーロス エー. ,  マクミラン,ラリー ディー. ,  カチャロ,ジョセフ ディー. ,  スコット,マイケル シー.
Applicant, Patent owner： シメトリックス・コーポレーション ,  オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994511140
Publication number (International publication number)：1996502628
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： Mar. 19, 1996
Summary：

【要約】金属を含む液体前駆体を基板(18)に塗布し、RTPベークし、そしてアニールすることにより層状超格子物質(30)を形成する。良好な電気特性を得るためには、高ビスマス量の前駆体以外の場合は、RTPおよびアニールにおいて基板(18)を酸素中でプリべークすることが必要である。化学量論比の110%〜140%の過剰ビスマスと750°CのRTP温度が最適である。この膜は2層構造(30A,30B)に形成され、その第1層には化学量論組成の前駆体を用い、第2層には過剰ビスマスの前駆体を用いる。

Claim (excerpt)：

基板(18)と金属を含む前駆体とを準備する工程、および該前駆体を該基板(18)に塗布する工程を含んで成る、層状超格子物質(30)を作製する方法において、該基板(18)上の該前駆体を急速熱処理することにより該基板(18)上に該金属を含む層状超格子物質(30)を形成することを特徴とする層状超格子物質の作製方法。

IPC (11)：

H01L 27/108 ,  C01B 13/32 ,  C23C 18/12 ,  C30B 29/30 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/40

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-295013
  
• 特開平2-232974