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J-GLOBAL ID：200903056436807334

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 遠藤 守
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001080
Publication number (International publication number)：1994204171
Application date： Jan. 07, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】ゲート電極配線層と上部の金属配線層とのコンタクト部における配線抵抗を低減し、配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上できる半導体装置および製造方法を提供する。【構成】半導体装置のゲート電極配線層とのコンタクト部の配線構造において、ゲート電極配線層側から、ゲート電極配線層、TiMoN層またはTiWN層、AlまたはAl合金配線層によって構成される構造とする。【効果】TiMoNの組成比がTi:Mo:N=1:1:0.5〜1.5の領域でコンタクト抵抗が低くなる。また、Ti:Mo:N=1:1:0.5〜1.5の組成の場合、TiMoNのバリア性も向上し配線の信頼性が良好となる。TiWNの場合も同様に、組成比がTi:W:N=1:1:0.5〜1.5の場合がコンタクト抵抗が低くなり、バリア性が向上し配線の信頼性が良好となる。

Claim (excerpt)：

ゲート電極配線層とのコンタクト部の配線構造が、ゲート電極配線層側から、ゲート電極配線層、TiMoN(チタンモリブデンナイトライド層、Alまたは、Al合金層、であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 301 G