Pat

J-GLOBAL ID：200903056439067935

多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法

Inventor： 米原 隆夫 ,  佐藤 信彦 ,  坂口 清文
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992059118
Publication number (International publication number)：1994342784
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体プロセス上の汚染の危険がなく、多孔質Siを均一に効率よくエッチングする。非多孔質Siと同一基体に設けられた多孔質Siを、高精度且つ選択的にエッチング除去する。絶縁性基体上に結晶性が優れたSi結晶層を得る。【構成】 弗酸、バッファード弗酸又はそれにアルコール、過酸化水素水を加えた混合液をエッチング液とする、多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法。

Claim (excerpt)：

弗酸をエッチング液とすることを特徴とする多孔質Siの化学エッチング液。

IPC (2)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/306

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-076139
  
• 特開昭63-182820
  
• 特開昭50-148081
  
• 特表平5-502978