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J-GLOBAL ID：200903056442450910
ドライエツチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991233154
Publication number (International publication number)：1993074736
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エッチングガス供給停止後の残留エッチャントによるガスエッチングを無くし速やかなエッチング停止を行う。【構成】 InP基板5を塩素による反応性イオンビームエッチングを停止する際に、エッチャントガスの供給停止と同時に基板直上部に取り付けたエッチング停止ガス導入ノズルより化学反応性の低いAr20sccmを基板に直接吹き付けると、基板近傍で残留塩素は瞬時に十分薄められるのでガスエッチングは起こらず速やかにエッチングが停止できる。またArの替わりに水素を用いると水素が残留塩素と爆発的に反応するのでこれも基板近傍の残留塩素が瞬時に薄められ、エッチングが停止される。
Claim (excerpt)：
化学反応性ガスを用いるドライエッチング方法に於てエッチング工程終了時に反応性ガス供給停止と同時に、基板との反応性の低いガスを基板に直接吹き付けエッチングを停止される工程を有することを特徴とするドライエッチング方法
Patent cited by the Patent：
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