半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：遠藤恭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999046301
Publication number (International publication number)：2000243729
Application date： Feb. 24, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】ウェハレベルCSPの製造において、樹脂封止の信頼性を向上させる。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子を形成したウェハ10上に、各電極パッド10aと外部接続端子とを電気的に接続するための配線14及び導電性の支柱16を形成する工程を含む。これに続く工程で、各半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハの表面に溝18(好ましくはV字状のもの)を形成する。次いで、上記導電性の支柱16の端面を露出させて、上記ウェハ上を樹脂19で覆い、導電性の支柱の端面上に、外部接続端子20を配置する。最後の工程で、上記半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハをダイシングすることによってパッケージ化された半導体装置32を得る。

Claim (excerpt)：

複数の半導体素子を形成したウェハであって、該各半導体素子の電極パッドがその表面に露出されたものを用意する工程と、上記ウェハ上に、上記各電極パッドと外部接続端子とを電気的に接続するための配線を形成する工程と、上記外部接続端子を配置する上記配線上の各位置に、導電性の支柱を形成する工程と、上記半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハの表面に溝を形成する工程であって、少なくとも該溝の開口幅がダイシング幅よりも広いものと、上記導電性の支柱の端面を露出させて、上記ウェハ上を樹脂で覆う工程と、上記露出された導電性の支柱の端面上に、上記外部接続端子を配置する工程と、上記半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハをダイシングする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 , H01L 21/60 , H01L 23/28

FI (4)：

H01L 21/78 A , H01L 23/28 Z , H01L 21/78 L , H01L 21/92 604 R

F-Term (6)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA10 , 4M109CA12 , 4M109DB17 , 4M109EE06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-010683 Applicant：富士通株式会社, 富士通オートメーション株式会社
特開昭62-009641
半導体パッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-169644 Applicant：株式会社東芝

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