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J-GLOBAL ID：200903056451209443

交互導電性ゾーンを有するMOSゲートデバイス

Inventor：
ココン、クリストファー

About ココン、クリストファー


Applicant, Patent owner：
フェアチャイルド セミコンダクター コーポレーション

About フェアチャイルド セミコンダクター コーポレーション


Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001559070
Publication number (International publication number)：2003523089
Application date： Jan. 30, 2001
Publication date： Jul. 29, 2003
Summary：
【要約】それぞれのウェル領域(103)からデバイスのドリフト領域(102)の中に延長するウェル領域延長部(432、434)であって、阻止電圧をかける際、ドリフト領域(102)から電荷を減少させるウェル領域延長部(432、434)を含む、パワーMOSFETのようなMOSゲートデバイス(100)。このウェル領域延長部(432、434)は、低温酸化物のような絶縁体が充填されたトレンチ(152、153)の側壁に形成される。
Claim (excerpt)：
上面と下面を有する半導体材料の基板、 前記上面まで延長する第1導電性のウェル領域、 前記ウェル領域に配置され、前記上面まで延長する1対の第2導電性のソース領域、 前記ソース領域間に配置されるゲートとチャネル領域、 前記ゲートと前記ウェル領域の下に配置される第2導電性のドレインゾーン、 前記ドレインゾーンから前記基板の反対側面まで延長する高ドープされた第2導電性のドレイン接触領域、 前記ウェル領域の末端から前記ドレインゾーンの一部を通る方向に、そして前記ドレイン接触領域に向かう方向に延長する1対の延長ウェル領域であって、第1導電性を有し、前記ドレインゾーンとのそれぞれの接合部で対向する誘導電界を発生する前記延長ウェル領域を含むことを特徴とするMOSゲート半導体デバイス。
IPC (4)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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