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J-GLOBAL ID：200903056454386044

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 早川 利郎
Applicant, Patent owner： イーストマン・コダックジャパン株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349156
Publication number (International publication number)：1994204599
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 InGaAsやInGaAlAsを量子井戸活性層とし、低閾値電流かつ温度特性が安定し高信頼性を有した高性能の半導体レーザを容易に提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-Al0.6 Ga0.4 Asクラッド層3、ノンドープ超格子光ガイド層4、ノンドープIn0.2Ga0.8 As量子井戸層5、ノンドープ超格子光ガイド層6、p-Al0.6 Ga0.4 Asクラッド層7、p-GaAsキャップ8をMBE法を用いて連続的に形成する時に、前記超格子光ガイド層4、6はGaAs3分子層Al0.6 Ga0.4As2分子層を交互に50周期積層し、超格子光ガイド層4の形成中に成長温度を変化させる。

Claim (excerpt)：

活性層が少なくとも1層の量子井戸層より成り、かつ該量子井戸層が少なくともIn,Ga,Asを含む半導体より成る半導体レーザにおいて、前記量子井戸層に隣接する障壁層の少なくとも一つがGaAsおよびAlGaAsあるいはAlAsを交互に積層した超格子層より成ることを特徴とする半導体レーザ。