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J-GLOBAL ID：200903056479412503

電界効果トランジスタ

Inventor： 桑田 展周
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991234959
Publication number (International publication number)：1993074815
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、低雑音、高速動作を達成し、さらに高出力を実現するFETを提供することを目的とする。【構成】 n型の不純物をドープしたGaInAsからなる第1、第2の電子供給層(31)、(32)の間にはIn組成xを変化させた第1、第2のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層(41)、(42)が積層して設けられている。第1のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層(41)は、GaInAsからIn組成xを徐々に上げて形成され、第2のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層(42)は、前述の第1のグレーディッド層(41)からIn組成xを徐々に下げて上面ではGaInAsとなっている。このためIn組成xが最大である領域にキャリア電子が最も多く存在し、その大部分のキャリア電子は、電子供給層(31)、(32)にドーピングされた不純物と空間的に分離されることになる。

Claim (excerpt)：

半絶縁性GaAs基板と、前記半絶縁性GaAs基板上に形成され、GaAsに格子整合する高抵抗の半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に、n型の不純物をドープして形成された第1のGaInAs電子供給層と、前記第1の電子供給層上に、GaInAsからIn組成xを徐々に上げて形成された第1のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層と、前記第1のグレーディッド層上に、該第1のグレーディッド層からIn組成xを徐々に下げて上面ではGaInAsとなっている第2のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層と、前記第2のグレーディッド層上に、n型の不純物をドープして形成された第2のGaInAs電子供給層と、前記第2の電子供給層上に形成されたGaAsまたはAlGaAsからなるキャップ層と、前記第2のキャップ層上に形成されたソース、ドレイン、及びゲートの各電極とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20