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J-GLOBAL ID：200903056487148203

高分子粉体の接触電位差の測定法

Inventor： 板倉 隆行 ,  手嶋 孝 ,  山田 茂樹 ,  増田 弘昭
Applicant, Patent owner： 三田工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 郁男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994036915
Publication number (International publication number)：1995244015
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高分子粉体の接触電位差の測定を短時間の内に能率的に測定でき、更に高分子粉体の接触電位差の測定に外乱を与えることなしに、高分子粉体層の電位を速やかにゼロに飽和させることができ、これにより真の接触電位差の測定が短時間の内に可能となる測定方法を提供する。【構成】 高分子粉体を該高分子のガラス転移点近傍の温度で熱処理して除電し、除電後該粉体を、冷却し或いは冷却することなく、振動電極間に位置させて、高分子粉体の接触電位差を測定する。

Claim (excerpt)：

高分子粉体を該高分子のガラス転移点近傍の温度で熱処理して除電し、除電後該粉体を、冷却し或いは冷却することなく、振動電極間に位置させて、高分子粉体の接触電位差を測定することを特徴とする高分子粉体の接触電位差の測定方法。

IPC (5)：

G01N 27/60 ,  C08L101/00 LTB ,  G03G 9/08 ,  G03G 9/107 ,  C09D 5/03 PMZ

FI (2)：

G03G 9/08 ,  G03G 9/10 331