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J-GLOBAL ID:200903056491405091

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶原 辰也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991259836
Publication number (International publication number):1993074857
Application date: Sep. 11, 1991
Publication date: Mar. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 熱膨張係数差に伴う応力による接続端子におけるクラックや剥離の発生を防止する。【構成】 基板21にシリコンペレット11がCCBされた半導体装置において、接続端子34を軟質のシリコーンゴムから成るバンプ本体17を基礎にして構築する。【効果】 アルミナセラミックとシリコンとの熱膨張係数差に基づく熱的変動時における基板21とペレット11との変形量の差を、軟質バンプ本体17の弾性変形によって吸収することができるため、その変形量差によって接続端子34に作用する応力を抑止ないしは抑制することができる。その結果、CCBによって形成された接続端子34における剥離やクラックの発生を未然に防止することができる。
Claim (excerpt):
電子回路が作り込まれた半導体ペレットが、絶縁基板に接続端子を介して機械的かつ電気的に接続されている半導体装置において、前記接続端子は、前記半導体ペレットの電極パッドにバンプ本体が軟質材料が用いられて突設されているとともに、この本体の表面に導体被膜が電極パッドに電気的に接続するように被着されて成るバンプが絶縁基板のパッドにはんだ付けされることにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭61-259548
  • 特開平3-062927
  • 特開平2-207532
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