半導体層の製造方法、半導体レーザの製造方法、及び半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211051
Publication number (International publication number)：1996078788
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 LDの製造方法において、エッチング工程でのクラッド層の選択性を向上させ、かつクラッド層の不純物が水素パッシベーションの影響を受けないようにすることで、その半導体レーザの精度を向上することができる半導体層の製造方法及びこれにより作製される半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 LDに用いるGaAs基板の、第2のp-AlGaInPクラッド層上にp-GaAsキャップ層を成長したDH結晶を成長させ、上記p-GaAsキャップ層を酒石酸系のエッチャントで選択エッチングし、続いて、第2のp-AlGaInPクラッド層を硫酸系のエッチャントでp-GaInPエッチングストッパ層まで選択エッチングしてリッジを形成し、ブロック層を成長した後、p-GaAsコンタクト層を成長後、降温時に水素ラジカルを生じる上記半導体を構成する元素を有する材料ガスの使用を停止することを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

ダブルヘテロ(以下DHと称す)構造を構成する可視光半導体レーザの製造方法において、GaAs基板に、p-GaInPバンド不連続緩和層を含まない,n-GaAsバッファ層、n-AlGaInPクラッド層、Alx Ga(1-x) InP活性層、第1のp-AlGaInPクラッド層、p-GaInPエッチングストッパ層、第2のp-AlGaInPクラッド層、及びp-GaAsキャップ層よりなる可視光レーザのDH結晶を成長する工程と、該DH結晶上にストライプ状の選択マスクを成膜する工程と、上記選択マスクをマスクとして、上記p-GaAsキャップ層を選択エッチングする工程と、続いて、第2のp-AlGaInPクラッド層をp-GaInPエッチングストッパ層まで選択エッチングし、ストライプ状のリッジを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/306 , H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平4-328822
特開平3-204986
特開平4-162485

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