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J-GLOBAL ID：200903056503837880
薄膜アクティブ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992274610
Publication number (International publication number)：1994125085
Application date： Oct. 13, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ON時のソース-ドレイン間電流を増加させ、かつOFF時のソース-ドレイン間電流を減少させることにより、高コントラストが維持でき、良好な表示が得られる高性能な薄膜アクティブ素子を提供する。【構成】 この薄膜アクティブ素子は、ゲート電極12の上に間にゲート絶縁膜13を介して半導体層14が形成され、半導体層14の上に形成されたチャネル保護膜20の上で、相互に離隔してソース電極17およびドレイン電極18が設けられており、チャネル保護膜15上のソース電極17とドレイン電極18との離隔部分には、第4の電極26が設けられている。この第4の電極26は、ゲート電極12と電気的に接続されている。
Claim (excerpt)：
ゲート電極の上にゲート絶縁膜を介して半導体層が形成され、該半導体層の上に形成されたチャネル保護膜の上で相互に離隔してソース電極およびドレイン電極が設けられ、該チャネル保護膜上のソース電極とドレイン電極との離隔部分に設けた第4の電極が該ゲート電極と電気的に接続されている薄膜アクティブ素子。
Patent cited by the Patent：
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