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J-GLOBAL ID：200903056503921988

導電領域の形成方法及び薄膜素子

Inventor： 平野 均 ,  蔵本 慶一 ,  堂本 洋一 ,  村井 成行 ,  井上 大二朗 ,  東野 太栄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066124
Publication number (International publication number)：1998261712
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子などの薄膜素子において、コンタクトホールを形成することなく、多層配線を行うことができる導電領域の新規な形成方法及び新規な薄膜素子を得る。【解決手段】 基板1上に形成された薄膜素子において、エネルギービーム照射により照射領域が導電化する絶縁性薄膜として非晶質ダイヤモンド状被膜3を形成する工程と、該非晶質ダイヤモンド状被膜3にエネルギービーム20を照射し、導電領域3aを形成する工程とを備えることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された薄膜素子に導電領域を形成するための方法であって、エネルギービームの照射により照射領域が導電化する絶縁性薄膜を形成する工程と、前記絶縁性薄膜に前記エネルギービームを照射し、導電領域を形成する工程とを備える導電領域の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/268

FI (3)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/263 E ,  H01L 21/268 E