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J-GLOBAL ID：200903056504872867

炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法

Inventor：
伊藤 健二

About 伊藤 健二

, 
青柳 修

About 青柳 修


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000239278
Publication number (International publication number)：2001081568
Application date： Aug. 11, 1988
Publication date： Mar. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 炭素または炭素を主成分とする被膜の密着性を改善する。【解決手段】反応室の内壁など不要箇所に付着した炭素または炭素を主成分とする被膜を水素及び酸素または弗化物気体をプラズマ化してエッチングし、続いてアルゴン等の不活性気体または水素をプラズマして反応室内を清浄した後、炭素または炭素を主成分とする膜を形成する。
Claim (excerpt)：
基板を反応室に入れ、当該基板に炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、当該基板を前記反応室から取り出し、次の基板を前記反応室内に入れ、当該基板に炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、当該基板を取り出すことを繰り返す間に、前記反応室から基板を取り出すたびに、前記反応室内で酸素のプラズマを発生させ、次に不活性気体または水素のプラズマを発生させることを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法。
IPC (3)：
C23C 16/44 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/26
FI (4)：
C23C 16/44 J ,  C23C 14/06 B ,  C23C 14/06 F ,  C23C 16/26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
  • 特開昭63-004068
  • 特開昭58-092218
  • 特開昭58-097826
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