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J-GLOBAL ID：200903056505454651
変換器及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000079163
Publication number (International publication number)：2000340860
Application date： Mar. 21, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【解決手段】 磁気抵抗センサは、読取りギャップ44を低イオンミリングレートの材料で形成することにより、読取りギャップを過度にオーバミリングすることなくセンサ46の端部をずんどうに即ち急峻な傾斜に形成できる。読取りギャップは複数の層で形成でき、その少なくとも1つの層が低ミリングレートであることにより、他の層は高熱伝導性かつ低応力で、ピンホールが少なく、かつ/又は良好な絶縁性能などの相補的特性を有する。【効果】 MRセンサの電磁特性は、信号の読取り及びノイズの低減双方において強化され、そのトラック幅は連続接合部のずんどう形状によってより正確に形成され、信号を量子化しかつ隣接するトラックからの読取りエラーが低減する。より薄く高完全性の読取りギャップにより、センサはより鋭い線形ビット分解能を有する。センサの端部とリード又はバイアス層との間にずんどう形状の連続接合部により、バルクハウゼンノイズの低減及び信号のバイアス改善が得られる。
Claim (excerpt)：
平面に対して実質的に平行に配置された複数の層を有し、前記層の末端が前記平面から第1の角度で延長する端部である磁気抵抗センサと、前記平面と実質的に整合しかつその末端が前記端部である第1の界面に沿って前記磁気抵抗センサに隣接し、かつ前記平面に対して前記第1の角度より実質的に小さい第2の角度で前記端部から延長する第2の界面を有する磁性(amagnetic)層と、接合部に沿って前記端部に隣接しかつ前記第2の界面に沿って前記磁性層に隣接することにより、前記磁性層を貫通することなく前記センサにバイアスを付与する金属層とを備えることを特徴とする変換器。
IPC (6)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 1/147
, H01F 10/12
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/12
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
, H01F 1/14 B
