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J-GLOBAL ID：200903056515976788

有機EL素子の製造方法及び有機EL素子

Inventor： 小野 純一 ,  上村 卓
Applicant, Patent owner： 株式会社オートネットワーク技術研究所 ,  住友電装株式会社 ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999222644
Publication number (International publication number)：2001052863
Application date： Aug. 05, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄型かつ軽量化が可能な構成で、ダークスポットの発生を防止し得る有機EL素子を提供すること。【解決手段】 有機EL素子の有機発光層4上に形成された金属電極層5上に、低融点の金属を蒸着する。その蒸着された金属を溶融させて、金属電極層5のピンホールを埋めるように当該金属電極層5を覆うシールド金属層6を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第2の電極層とを備えた有機EL素子の製造方法であって、前記第2の電極層上であって少なくとも前記有機発光層の発光領域を覆う部分に金属層を形成する成膜工程と、前記金属層を、その融点以上に加熱した後冷却してシールド金属層を形成する工程と、を含む有機EL素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14

FI (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14 A

F-Term (10)：

3K007AB00 ,  3K007AB17 ,  3K007BB00 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01