Pat
J-GLOBAL ID:200903056516850460
p型活性層を有するIII族窒化物発光装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (9):
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003203763
Publication number (International publication number):2004064080
Application date: Jul. 30, 2003
Publication date: Feb. 26, 2004
Summary:
【課題】活性領域に少なくとも1つのp型層を有するIII族窒化物発光装置を提供する。【解決手段】n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも1つの付加的なp型層を含む。活性領域のp型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともp型である。いくつかの実施形態では、活性領域のp型層の平均転位密度は、約5×108cm-2よりも小さい。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
n型層と、
第1のp型層と、
前記n型層と前記p型層との間に配置され、少なくとも、約5×108cm-2よりも小さい平均転位密度を有する第2のp型層を有する、光を発することができる活性領域と、
を含むことを特徴とするIII族窒化物発光装置。
IPC (3):
H01L33/00
, H01L21/205
, H01S5/343
FI (3):
H01L33/00 C
, H01L21/205
, H01S5/343 610
F-Term (26):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA77
, 5F041CB36
, 5F045AA03
, 5F045AB14
, 5F045AF04
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB14
, 5F073DA04
, 5F073DA35
, 5F073EA29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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