Pat
J-GLOBAL ID:200903056516850460

p型活性層を有するIII族窒化物発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (9): 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003203763
Publication number (International publication number):2004064080
Application date: Jul. 30, 2003
Publication date: Feb. 26, 2004
Summary:
【課題】活性領域に少なくとも1つのp型層を有するIII族窒化物発光装置を提供する。【解決手段】n型層、p型層、及び、p型層とn型層との間で発光することができる活性領域を含むIII族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも1つの付加的なp型層を含む。活性領域のp型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともp型である。いくつかの実施形態では、活性領域のp型層の平均転位密度は、約5×108cm-2よりも小さい。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
n型層と、 第1のp型層と、 前記n型層と前記p型層との間に配置され、少なくとも、約5×108cm-2よりも小さい平均転位密度を有する第2のp型層を有する、光を発することができる活性領域と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物発光装置。
IPC (3):
H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343
FI (3):
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
F-Term (26):
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073DA04 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page