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J-GLOBAL ID：200903056529858567
高電子移動度電界効果半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992234425
Publication number (International publication number)：1994084957
Application date： Sep. 02, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高電子移動度電界効果半導体装置に関し、極めて簡単な手段を採ることで、ゲート電極からの距離の如何に拘わらず、各ヘテロ界面に於ける相互伝導度gm の値が等しくなるようにし、全体的に大略平坦化されるようにして線型性を向上させようとする。【構成】 電子供給層23,25や電子走行層24などで複数のヘテロ接合を生成させ且つヘテロ界面に於ける電子走行層24側に二次元電子ガス層30や31を生成させる積層体と、表面に形成され且つ二次元電子ガス層30,31と電気的に導通したソース電極27及びドレイン電極28と、ソース電極27及びドレイン電極28間に在って電子供給層25とショットキ・コンタクトを生成したゲート電極29とを備え、ゲート電極29に近い側に在る二次元電子ガス層31の電子濃度に比較して遠い側に在る二次元電子ガス層30の電子濃度を高くしてある。
Claim (excerpt)：
キャリヤ供給層とキャリヤ走行層とで複数のヘテロ接合を生成させ且つヘテロ界面に於けるキャリヤ走行層側に二次元キャリヤ・ガス層を生成させるマルチ・ヘテロ構造をなす積層体と、表面に間隔をおき相対向して形成され且つ前記二次元キャリヤ・ガス層と電気的に導通したソース電極並びにドレイン電極と、前記ソース電極並びにドレイン電極間に在って最表層のキャリヤ供給層との間でショットキ・コンタクトを生成したゲート電極とを備え、前記キャリヤ供給層に於けるキャリヤ濃度が前記ゲート電極に近い側に在るキャリヤ供給層に比較して遠い側に在るキャリヤ供給層では高くなっていることを特徴とする高電子移動度電界効果半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
