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J-GLOBAL ID：200903056529973072

ガス導入管及びこれを用いた薄膜成長装置

Inventor： 武石 英見 ,  亀井 英徳 ,  奥 保成
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999027594
Publication number (International publication number)：2000228362
Application date： Feb. 04, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 仕切り板および側壁の変形やズレが発生することなく複数層のガス放出口の開口高さを十分低くし、かつ仕切り板を薄くすることができるガス導入管を提供し、少ない原料ガス流量で十分扁平した複数層の層流を得る。【解決手段】 本発明のガス導入管は、中空体の一端部に備えたガスの導入口17a,17bから他端部に備えたガスの放出口16a,16bに至るガス通路10a,10bを複数積層したガス導入管11であって、複数のガス通路10a,10bが、金属製の天板12及び底板13と、天板12及び底板13の間に挟み込まれた金属製の複数の側壁体14a,14bと、側壁体14a,14bの間に挟み込まれた金属製の仕切板15とに囲まれ形成される空間がある構成とした。

Claim (excerpt)：

中空体の一端部に備えたガスの導入口から他端部に備えたガスの放出口に至るガス通路を複数積層したガス導入管であって、前記複数のガス通路が、金属製の天板及び底板と、同天板及び底板の間に挟み込まれた金属製の複数の側壁体と、同側壁体の間に挟み込まれた金属製の仕切板とに囲まれ形成される空間であることを特徴とするガス導入管。

F-Term (15)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EC09 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF08 ,  5F045EF11 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09