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J-GLOBAL ID：200903056542534932

半導体基板の製造方法

Inventor： 大橋 正典 ,  神戸 秀夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991316120
Publication number (International publication number)：1993152304
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 デバイス活性領域付近にゲッタリング層を制御性良く形成できる半導体基板の製造方法を得んとするものである。【構成】 先ず、シリコンウエハ11の表面に、ドーズ量1×1014atm/cm3の高濃度条件で、カーボンをイオン注入する。このとき、イオン注入によって、シリコンウエハ11内に形成される高密度カーボン層(ゲッタリング層)のウエハ表面からの深さを、イオン注入エネルギー量の設定で、1μm程度の深さとなるようにする。次に、ウエハ表面に、エピキシャル層(Si)を10〜20μmの厚に成長させる。このようにして形成された半導体基板のエピタキシャル層に、素子を形成すれば、形成プロセス中あるいは形成後のゲッタ効果を良好に維持することが可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの表面に炭素をイオン注入して該表面から浅い位置にゲッタリング層を形成し、その後前記半導体ウエハの表面に半導体エピタキシャル層を成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法。