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J-GLOBAL ID：200903056549289917

透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜

Inventor： 阿部 能之
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001077586
Publication number (International publication number)：2002275623
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリング法を適用できる基板の範囲を広げ、安価なガラス基板やプラスチック樹脂フィルム等にも比抵抗が1.5×10-4Ω・cm以下の透明導電性薄膜を形成することができる新規な組成の透明導電性薄膜形成用ターゲット、その製造方法、及び該ターゲットより得られる透明導電性薄膜の提供。【解決手段】 酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化タングステンを含有し、酸化スズと酸化タングステンの割合が、各々、スズ/インジウム原子数比で0.030〜0.140、タングステン/インジウム原子数比で0.010〜0.110であり、かつスズとタングステンとが酸化インジウム中に実質的に均一に分散していることを特徴とする透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット、その製造方法、及びそれより得られる透明導電性薄膜により提供。

Claim (excerpt)：

酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化タングステンを含有し、酸化スズと酸化タングステンの割合が、各々、スズ/インジウム原子数比で0.030〜0.140、タングステン/インジウム原子数比で0.010〜0.110であり、かつスズとタングステンとが酸化インジウム中に実質的に均一に分散していることを特徴とする透明導電性薄膜形成用焼結体ターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C04B 35/495 ,  H01B 5/14

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  H01B 5/14 A ,  C04B 35/00 R ,  C04B 35/00 J

F-Term (15)：

4G030AA24 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10