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J-GLOBAL ID：200903056553394857

アモルフアス金属の形成方法及びアモルフアス金属膜を有する半導体装置

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259425
Publication number (International publication number)：1993102147
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 残留ガス、不純物の取り込みの少ないアモルファス金属膜を形成する。【構成】 間欠スパッタ手段を用い、かつ冷却して、アモルファス金属10を形成するアモルファス金属の形成方法において、前記アモルファス金属を形成する前の反応室9の真空度を10-10Torr以下とする。

Claim (excerpt)：

間欠スパッタ手段を用い、かつ冷却して、アモルファス金属を形成するアモルファス金属の形成方法において、前記アモルファス金属を形成する反応室内の真空度を10-10Torr以下とすることを特徴とするアモルファス金属の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203