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J-GLOBAL ID:200903056558923602
水素製造装置および該装置を用いた水素リッチガスの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003276324
Publication number (International publication number):2005035852
Application date: Jul. 17, 2003
Publication date: Feb. 10, 2005
Summary:
【課題】 低温でも充分な反応速度が得られ、より一酸化炭素濃度の低い水素リッチガスが得られる水素製造装置を提供する。【解決手段】 電源と、該電源に接続された複数の電極と、該電極間に充填された触媒層とを有し、炭化水素系燃料と、水または分子状酸素含有ガスとから水素リッチガスを製造する水素製造装置であって、該触媒層が、銅、パラジウムおよび亜鉛からなる群から選択される1種または2種以上の金属元素を含む燃料改質触媒を含有する、水素製造装置である。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
一の電極と、他の電極と、前記一の電極と前記他の電極との間に低温プラズマを発生させる電源と、前記一の電極と前記他の電極との間に存在する、炭化水素系燃料および水から水素リッチガスへの反応を促進する燃料改質触媒を含む触媒層とを有する水素製造装置であって、
前記燃料改質触媒が、銅、パラジウムおよび亜鉛からなる群から選択される1種または2種以上の金属元素を含む、水素製造装置。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (9):
4G140EA03
, 4G140EB11
, 4G140EB16
, 4G140EB35
, 4G140EC01
, 4G140EC03
, 5H026AA06
, 5H027AA06
, 5H027BA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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低温プラズマによる水素の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-153165
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
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ガス製造装置およびガス製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-038691
Applicant:三菱重工業株式会社
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