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J-GLOBAL ID：200903056559250172

光半導体装置

Inventor： 足立 秀人 ,  松田 賢一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031670
Publication number (International publication number)：1993235464
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低い印加電圧で動作することのできる垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。【構成】 GaAs基板と前記GaAs基板上にGaAs/AlAs半導体多層膜からなるp型ミラー層、In0.2Ga0.8As歪超格子からなる活性層、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるn型ミラー層がこの順序で積層されたエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の前記活性層までをエッチングすることによって形成したメサを有している。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と、前記GaAs基板上に形成された、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるp型ミラー層、In0.2Ga0.8As歪超格子からなる活性層、GaAs/AlAs半導体多層膜からなるn型ミラー層がこの順序で積層されたエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の前記n型ミラー層から前記活性層までをエッチングすることによって形成されたメサと、前記n型ミラー層上に形成された電極と、エッチングによって現れた前記p型ミラー層上に形成された電極を備えたことを特徴とする光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 面形発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-020489   Applicant：日本電信電話株式会社