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J-GLOBAL ID：200903056575478140

軟磁性薄膜

Inventor： 庄子 光治 ,  香取 健二 ,  大森 広之 ,  林 和彦 ,  阿蘇 興一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991205996
Publication number (International publication number)：1993047551
Application date： Aug. 16, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アニール処理をしなくとも低い保磁力を示し、しかも耐熱性に優れ高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。【構成】 Fe-Al-Si合金膜に、適量の窒素、酸素、炭素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、600Å以下である。また、窒素、酸素、炭素の導入量は、20原子%以下とする。

Claim (excerpt)：

(Fea Sib Alc )xNy Oz Cw 〔ただし、a,b,c,x,y,z,wは各元素の割合(原子%)を表す。〕なる組成式で表され、その組成範囲が60≦a≦900.1≦b≦250.1≦c≦2580≦x≦1000≦y≦200≦z≦200≦w≦20a+b+c=100x+y+z=100であるとともに、平均結晶粒径が600Å以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。

IPC (3)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 41/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-109703
  
• 特開平1-220813
  
• 特開平3-001309