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J-GLOBAL ID：200903056587518563

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992059106
Publication number (International publication number)：1993226304
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを使用せずに、W-ポリサイド膜の1段階異方性エッチングを行う。【構成】 S2 Cl2 ,S2 Br2 等のハロゲン化イオウをエッチング・ガスとして用い、W-ポリサイド膜5をエッチングする。ハロゲン化イオウから生成するSは側壁保護膜7の形成に、Cl* ,Br* はエッチング種としてそれぞれ寄与する。上層側のWSix 層4のエッチング時に生成するWClx やWBrx は、常温常圧下では沸点が高いが、減圧加熱下では脱離に必要な蒸気圧を得る。したがって、Sが昇華しない程度にウェハを加熱すれば、エッチングは十分に進行する。プラズマ中にF* が生成しないので、多結晶シリコン層3にアンダカットが発生せず、またCも存在しないので、パーティクル汚染やゲート酸化膜2に対する選択性低下が防止できる。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン層と高融点金属シリサイド層とがこの順に積層されてなるポリサイド膜をエッチングするドライエッチング方法において、SとClとを構成元素として有し放電解離条件下でプラズマ中に遊離のSを生成し得る化合物、もしくはSとBrとを構成元素として有し放電解離条件下でプラズマ中に遊離のSを生成し得る化合物の少なくとも一方を含むエッチング・ガスを用い、被エッチング基板を加熱しながら前記ポリサイド膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-036723
  
• 特開平3-083335
  
• 特開昭63-252373
  
• 特開平4-010535