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J-GLOBAL ID：200903056598365122

光学異方体の製造方法

Inventor：
河村 丞治

About 河村 丞治

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清水 洋

About 清水 洋


Applicant, Patent owner：
大日本インキ化学工業株式会社

About 大日本インキ化学工業株式会社

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独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001160514
Publication number (International publication number)：2002348319
Application date： May. 29, 2001
Publication date： Dec. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】液晶性(メタ)アクリレート化合物を含有する重合性液晶組成物を液晶状態で重合し、透明性に優れた光学異方体を得る製造方法を提供する。【解決手段】 一般式(I)で表される液晶性(メタ)アクリレート化合物を含有する重合性液晶組成物を、30°C以上液晶相-等方性液体相への相転移温度未満の温度範囲で光重合する、光学異方体の製造方法。【化1】(式中、L1、L2、L3は水素原子またはメチル基を表し、6員環A、Bは1,4-フェニレン基等を表し、6員環Cは1,3,4-ベンゼントリイル基等を表し、Y1、Y2は単結合、-COO-、-OCO-等を表し、X1、X2、X3は単結合、-O-等を表し、Sp1、Sp2、Sp3は炭素原子数1から20のスペーサー基を表す。)
Claim (excerpt)：
25°C以上で液晶性を示す一般式(I)で表される液晶性(メタ)アクリレート化合物を含有する重合性液晶組成物を、30°C以上から液晶相-等方性液体相への相転移温度未満の温度範囲で光重合する、光学異方体の製造方法。【化1】(式中、L1、L2、L3はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を表し、6員環A、Bはそれぞれ独立に、1,4-フェニレン基、一つ又は隣接しない2つのCH基が窒素で置換された1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1つ又は隣接しない2つのCH2基が酸素原子又は硫黄原子で置換された1,4-シクロヘキシレン基、シクロヘキセン-1,4-ジイル基を表し、これらの6員環AとBは、さらに炭素原子数1〜7のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基、又はハロゲン原子で1つ以上置換されていても良く、6員環Cは1,3,4-ベンゼントリイル基、一つ又は隣接しない2つのCH基が窒素で置換された1,3,4-ベンゼントリイル基、1,3,4-シクロヘキサントリイル基、1つ又は隣接しない2つのCH2基が酸素原子又は硫黄原子で置換された1,3,4-シクロヘキサントリイル基、又はシクロヘキセン-1,3,4-トリイル基を表し、6員環Cの水素原子は、さらに炭素原子数1〜7のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、シアノ基、又はハロゲン原子で置換されていても良く、Y1、Y2はそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C≡C-、-CH=CH-、-CF=CF-、-(CH2)4-、-CH2CH2CH2O-、-OCH2CH2CH2-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-OCO-COO-を表し、X1、X2、X3はそれぞれ独立的に単結合、-O-、-COO-、-OCO-を表し、Sp1、Sp2、Sp3は炭素原子数1から20のスペーサー基を表す。)
IPC (5)：
C08F 20/20 ,  C08F 2/46 ,  G02B 5/30 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/13363
FI (5)：
C08F 20/20 ,  C08F 2/46 ,  G02B 5/30 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/13363
F-Term (32)：
2H049BA02 ,  2H049BA06 ,  2H049BA42 ,  2H049BC05 ,  2H049BC09 ,  2H049BC22 ,  2H091FA07 ,  2H091FA11 ,  2H091FB02 ,  2H091FB03 ,  4J011AC04 ,  4J011QA07 ,  4J011QA25 ,  4J011SA00 ,  4J011UA01 ,  4J011WA07 ,  4J100AL08Q ,  4J100AL67P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA40P ,  4J100BA40Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA66 ,  4J100FA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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