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J-GLOBAL ID：200903056600037723

アクティブマトリクス基板及びその製造方法

Inventor： 氏政 仁志 ,  桜井 猛久 ,  梶谷 優 ,  片山 幹雄 ,  岡本 昌也 ,  西岡 幸也 ,  高濱 学 ,  川合 勝博 ,  嶋田 吉祐 ,  音琴 秀則 ,  宮後 誠 ,  伊達 昌浩 ,  近藤 直文 ,  伴 厚志 ,  平田 貢祥
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243758
Publication number (International publication number)：1994095149
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス型液晶表示装置に於ける点欠陥及び線状欠陥を低減し良好な表示品位を得る。【構成】 ソース配線3a、3b及びドレイン配線9a、9bを、透明導電膜3a、9a及び金属薄膜3b、9bの2層構造にしているので、金属薄膜3b、9bをエッチングする際には、透明導電膜3a、9aがゲート絶縁膜5のエッチング阻止層として機能する。その結果、ゲート絶縁膜5が劣化せずに、良好に維持される。又、ソース配線3a、3bが2層構造になっているので、ソース配線3a、3bの断線が起こりにくい。

Claim (excerpt)：

基板上に、ゲート配線が形成されると共に、少なくとも該ゲート配線を覆ってゲート絶縁膜が形成され、該ゲート配線の一部の上に間に該ゲート絶縁膜を介して薄膜トランジスタが形成されており、該薄膜トランジスタ及び絵素電極がマトリクス状に形成されたアクティブマトリクス基板において、該ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、該半導体層上に順に形成された透明導電膜と金属薄膜とからなる2層膜が該半導体層上で分断された分断2層膜の一方からなるソース配線と、他方の該分断2層膜の該金属薄膜をエッチングして露出した該透明導電膜部分からなる絵素電極と、他方の該分断2層膜の該透明導電膜と該金属薄膜とが重畳する部分からなるドレイン配線とを備えたアクティブマトリクス基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-170135
  
• 特開平2-234125
  
• 特開平2-234132
  
• 特開平4-276723